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納米二氧化硅溶膠在集成電路加工中的應(yīng)用
2023-03-28 16:21
先進(jìn)集成電路制造業(yè)的快速發(fā)展方向為高精度、高性能、高集成度，這對晶圓表面的局部和整體平整度都提出了高要求。目前，超精密化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP）是可以提供晶圓局部和整體平坦化的表面精加工技術(shù)，CMP以化學(xué)拋光機(jī)為主體，集在線監(jiān)測、終點檢測、清洗、甩干等技術(shù)為一體，是集成電路向微細(xì)化、多層化、薄型化、平坦化工藝發(fā)展的產(chǎn)物。
CMP拋光中，常用磨料主要包括納米二氧化硅、二氧化鈰和氧化鋁。二氧化鈰磨料的優(yōu)點是拋光速率快、硬度小、穩(wěn)定性好，但目前采用的二氧化鈰基本是機(jī)械研磨而成，存在顆粒分散度大，粘度大，純度低，價格較為昂貴等缺陷；氧化鋁磨料的硬度較大，對軟質(zhì)工件進(jìn)行拋光時易造成劃傷，不太適用于較軟質(zhì)地工件的拋光；而納米二氧化硅溶膠磨料其膠粒尺寸在1-100nm，膠粒具有較大的比表面積，高度的分散性和滲透性，其硬度較軟對工件表面的損傷極微，因此廣泛應(yīng)用于晶圓、藍(lán)寶石等精密光學(xué)器件表面的拋光處理。
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